17Mev陽子線照射によるN-Si中の照射欠陥生成率の線量率依存性。
(Flux dependent generation rate of irradiation induced defecfs in N-Si under 17Mevproton irradiation.)
1998年秋期第59回応用物理学会学術講演会. 1998年09月15日-1998年09月18日.
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作成時刻: 2017-02-18 01:32:45 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:50:45 +0900