水素終端シリコン表面からの準安定He原子線によるイオン脱離
(Ion desorption induced by slow metastalbe He atoms from hydrogen-passivated silicon surfaces)
応用物理学会関係連合講演会. 2002年03月27日-2002年03月30日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-18 02:57:52 +0900 更新時刻: 2017-07-10 18:34:24 +0900