AlとOを用いた抵抗変化型メモリ素子
(Ubiqutous Resistive Random Access Memory device composed of Al and O elements)
IUMRS-ICEM2012. 2012年09月23日-2012年09月28日.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-02-14 11:21:25 +0900 更新時刻: 2017-07-10 21:28:46 +0900