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AlとOを用いた抵抗変化型メモリ素子
(Ubiqutous Resistive Random Access Memory device composed of Al and O elements)

著者原田 善之, 加藤 誠一, 児子 精祐, 中野 嘉博, 北澤 英明, 木戸 義勇.
会議名IUMRS-ICEM2012
発表年2012
言語Japanese

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