(Lattice constants of isotopic natGa15N grown on c-plane sapphire by molecular-beam epitaxy)
STAC-3. 2009年06月16日-2009年06月18日.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-01-08 04:33:36 +0900更新時刻: 2017-07-10 20:31:51 +0900