HOME > 口頭発表 > 書誌詳細格子整合AlxIn1–xN犠牲層を用いたサファイア基板上GaN MEMS共振子の作製と高Q動作井村 将隆, 廣戸 孝信, 大島 孝仁, 間野 高明, ザオ ウェン, 廖 梅勇, 糸数 雄吏, 定 昌史, 森 建紀, Zhang Ya. 2026年 第87回応用物理学会秋季学術講演会. 2026年09月08日-2026年09月11日.NIMS著者井村 将隆廣戸 孝信大島 孝仁間野 高明廖 梅勇Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2026-09-15 03:06:50 +0900 更新時刻: 2026-09-15 03:06:50 +0900
