ウェットアニールダイヤモンド(111)上 ALD-Al2O3 膜を用いたMOS キャパシタの電気的特性
(Electrical characteristics of MOS capacitor using ALD-Al2O3 film on wet-annealed diamond (111) surface)
第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014年09月17日-2014年09月20日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 05:00:28 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:59:43 +0900