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ウェットアニールダイヤモンド(111)上 ALD-Al2O3 膜を用いたMOS キャパシタの電気的特性
(Electrical characteristics of MOS capacitor using ALD-Al2O3 film on wet-annealed diamond (111) surface)
第75回応用物理学会秋季学術講演会. September 17, 2014-September 20, 2014.
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Created at: 2017-01-08 05:00:28 +0900Updated at: 2017-07-10 21:59:43 +0900