HOME > 口頭発表 > 書誌詳細CVD法を利用したPドープGeナノワイヤの成長(Growth of phosphorus-doped Ge nanowires by CVD method)深田 直樹, 三留 正則, 関口 隆史, 板東 義雄, Zhong Lin Wang. 秋季第72回応用物理学会学術講演会. 2011年08月29日-2011年09月02日.NIMS著者深田 直樹三留 正則板東 義雄Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 10:52:04 +0900 更新時刻: 2017-07-10 21:08:30 +0900