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著者名深田 直樹, 三留 正則, 関口 隆史, 板東 義雄, Zhong Lin Wang.
タイトルCVD法を利用したPドープGeナノワイヤの成長
(Growth of phosphorus-doped Ge nanowires by CVD method)
会議名秋季第72回応用物理学会学術講演会
発表年2011
言語Japanese
外部での文献参照

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