HOME > Presentation > DetailCVD法を利用したPドープGeナノワイヤの成長(Growth of phosphorus-doped Ge nanowires by CVD method)深田 直樹, 三留 正則, 関口 隆史, 板東 義雄, Zhong Lin Wang. 秋季第72回応用物理学会学術講演会. 2011.NIMS author(s)FUKATA, NaokiMITOME, MasanoriBANDO, YoshioFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 10:52:04 +0900Updated at: 2017-07-10 21:08:30 +0900