HOME > 口頭発表 > 書誌詳細AlN/SiCテンプレート上にヘテロ成長したGaN-HEMT構造の特性評価(Fabrication and characterization of GaN-HEMT grown on AlN/SiC templates)角谷 正友, 後藤修, サン リウエン, 高原 悠希, 上殿明良, 今中 康貴, 今野泰一郎, 堀切文正, 木村健司, 藤倉序章. 第82回応用物理学会秋季学術講演会. 2021年09月10日-2021年09月13日.NIMS著者角谷 正友今中 康貴Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2021-12-23 15:44:58 +0900更新時刻: 2021-12-23 15:44:58 +0900