HOME > 口頭発表 > 書誌詳細WO3薄膜を用いたニューロモルフィック素子(Neuromorphic Transistor Based on Redox Reaction of WO3 Thin Film)M. Jayabalan, 川村 欣也, 髙栁 真, 土屋 敬志, T. Higuchi, R. Jayavel, 寺部 一弥. 第27回日本MRS年次大会. 2017年12月05日-2017年12月07日.NIMS著者川村 欣也土屋 敬志寺部 一弥Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-11-11 22:54:09 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:14:58 +0900