HOME > Presentation > DetailWO3薄膜を用いたニューロモルフィック素子(Neuromorphic Transistor Based on Redox Reaction of WO3 Thin Film)M. Jayabalan, 川村 欣也, 髙栁 真, 土屋 敬志, T. Higuchi, R. Jayavel, 寺部 一弥. 第27回日本MRS年次大会. December 05, 2017-December 07, 2017.NIMS author(s)KAWAMURA, KinyaTSUCHIYA, TakashiTERABE, KazuyaFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-11-11 22:54:09 +0900 Updated at: 2018-06-05 14:14:58 +0900