HOME > 口頭発表 > 書誌詳細MBE法による酸化亜鉛基板上への窒化ガリウム薄膜作製(Growth of GaN films on single crystalline ZnO substrate prepared by molecular beam epitaxy)大垣 武, 杉村 茂昭, 大橋 直樹, 坂口 勲, 関口 隆史, 羽田 肇. 2004年度日本セラミックス協会年会. 2004年03月22日-2004年03月24日.NIMS著者大垣 武大橋 直樹坂口 勲羽田 肇Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 04:11:16 +0900更新時刻: 2017-07-10 18:56:25 +0900