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著者名大垣 武, 杉村 茂昭, 大橋 直樹, 坂口 勲, 関口 隆史, 羽田 肇.
タイトルMBE法による酸化亜鉛基板上への窒化ガリウム薄膜作製
(Growth of GaN films on single crystalline ZnO substrate prepared by molecular beam epitaxy)
会議名2004年度日本セラミックス協会年会
発表年2004
言語Japanese
外部での文献参照

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