HOME > Presentation > DetailMBE法による酸化亜鉛基板上への窒化ガリウム薄膜作製(Growth of GaN films on single crystalline ZnO substrate prepared by molecular beam epitaxy)大垣 武, 杉村 茂昭, 大橋 直樹, 坂口 勲, 関口 隆史, 羽田 肇. 2004年度日本セラミックス協会年会. 2004.NIMS author(s)OGAKI, TakeshiOHASHI, NaokiSAKAGUCHI, IsaoHANEDA, HajimeFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at :2017-01-08 04:11:16 +0900 Updated at :2017-07-10 18:56:25 +0900