SAMURAI - NIMS Researchers Database

HOME > 口頭発表 > 詳細

AlNテンプレート上にヘテロ成長したInGaN-, GaN-HEMT構造の特性評価

著者角谷 正友, 後藤修, 上殿明良, 今中 康貴, 今野泰一郎, 堀切文正, 木村健司, 藤倉序章.
会議名電気学会「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用」調査専門委員会 /https://www.iee.jp/
発表年2021
言語Japanese

▲ページトップへ移動