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AlNテンプレート上にヘテロ成長したInGaN-, GaN-HEMT構造の特性評価
電気学会「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用」調査専門委員会 /https://www.iee.jp/. 2021. Invited
NIMS author(s)
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Created at: 2022-01-27 15:59:16 +0900Updated at: 2024-03-05 12:21:49 +0900