AlNテンプレート上にヘテロ成長したInGaN-, GaN-HEMT構造の特性評価

角谷正友, 後藤修, 上殿明良, 今中康貴, 今野泰一郎, 堀切文正, 木村健司, 藤倉序章.

電気学会「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用」調査専門委員会　/https://www.iee.jp/. 2021-12-21. Invited

Created at: 2022-01-27 15:59:16 +0900Updated at: 2024-03-05 12:21:49 +0900