HOME > 口頭発表 > 書誌詳細MBE法により酸化亜鉛基板上へ作製した窒化インヂウム薄膜の構造(Structure of InN films grown on single crystalline ZnO substrates prepared by molecular beam epitaxy)大垣 武, 両見 春樹, 大橋 直樹, 坂口 勲, 関口 隆史, 羽田 肇. 日本セラミックス協会2005年年会. 2005年03月22日-2005年03月24日.NIMS著者大垣 武大橋 直樹坂口 勲羽田 肇Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 03:50:27 +0900更新時刻: 2017-07-10 19:15:23 +0900