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著者名山崎 隆浩, 大野 隆央.
タイトル第一原理計算に基づいた抵抗変化メモリのスイッチング機構
(Switching Mechanism of Resistance Random Access Memory Based on the First-Principles Calculations)
会議名日本応用物理学会2014年春季年会
発表年2014
言語Japanese
外部での文献参照

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