GaNエピタキシャル基板のための反応性スパッタ法を用いたAlNバッファー層作製条件の検討
(Growth condition optimization of AlN buffer layer deposited by reactive sputtering for GaN epitaxial substrate)
第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2018年01月19日-2018年01月20日.
NIMS著者
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作成時刻: 2018-02-23 22:11:26 +0900 更新時刻: 2018-06-05 14:18:30 +0900