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GaNエピタキシャル基板のための反応性スパッタ法を用いたAlNバッファー層作製条件の検討
(Growth condition optimization of AlN buffer layer deposited by reactive sputtering for GaN epitaxial substrate)
第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2018.
NIMS author(s)
Fulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)
Created at: 2018-02-23 22:11:26 +0900Updated at: 2018-06-05 14:18:30 +0900