HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Ta2O5キャップによる界面層スカベンジングを用いたHfO2/Si直接接合の形成(Direct contact formation of HfO2 on Si Substrate by Interfacial Layer Scavenging Technique with Ta2O5 Cap)小橋 和義, 長田 貴弘, 池野 成裕, 小椋厚志, 知京 豊裕. The 6th JSPS Silicon Symposium. 2012.NIMS著者長田 貴弘知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:02:42 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:34:27 +0900