HOME > 口頭発表 > 書誌詳細分子線エピタキシー法によりMgO(100)基板上に作製したScN薄膜における電気特性の成長条件依存性(Growth condition dependence of electric properties of ScN films on (100) MgO substrates prepared by molecular beam epitaxy)大垣 武, 渡邉 賢, 安達 裕, 坂口 勲, 菱田 俊一, 大橋 直樹, 羽田 肇. 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy. 2013年08月11日-2013年08月16日.NIMS著者大垣 武安達 裕坂口 勲大橋 直樹Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 04:33:22 +0900 更新時刻: 2017-07-10 21:37:15 +0900