Si基板上GaN成長のための反応性スパッタ法を用いた AlNバッファー層作製条件の検討
(Growth condition optimization of AlN buffer layer deposited by reactive sputtering for epitaxial growth of GaN on Si)
第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-12-01 21:57:40 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:15:48 +0900