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著者名立島 滉大, 長田 貴弘, 石橋 啓次, 高橋 健一郎, 鈴木 摂, 小椋厚志, 知京 豊裕.
タイトルSi基板上GaN成長のための反応性スパッタ法を用いた AlNバッファー層作製条件の検討
(Growth condition optimization of AlN buffer layer deposited by reactive sputtering for epitaxial growth of GaN on Si)
会議名第78回応用物理学会秋季学術講演会
発表年2017
言語Japanese
外部での文献参照

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