HOME > 口頭発表 > 書誌詳細(High-Pressure Raman Study of Al14N and Al15N Epitaxial Thin Films on Sapphire Substrates)遊佐 斉, 大垣 武, 大橋 直樹, 坂口 勲, 羽田 肇. ICC3. 2010.NIMS著者遊佐 斉大垣 武大橋 直樹坂口 勲羽田 肇Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 03:41:38 +0900更新時刻: 2017-07-10 20:54:38 +0900