HOME > 口頭発表 > 書誌詳細(High-Pressure Raman Study of Al14N and Al15N Epitaxial Thin Films on Sapphire Substrates)遊佐 斉, 大垣 武, 大橋 直樹, 坂口 勲, 羽田 肇. ICC3. 2010年11月14日-2010年11月18日.NIMS著者遊佐 斉大垣 武大橋 直樹坂口 勲羽田 肇Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 03:41:38 +0900更新時刻: 2017-07-10 20:54:38 +0900