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著者名CHIKYOW, Toyohiro, NGUYEN, Nam, MATSUDA, Asahiko, YAYAMA, Tomoe, NAGATA, Takahiro, CHO, Yujin, SEKIGUCHI, Takashi, Uesugi Kenjiro, Nunoue Shinya, Fukushima Noboru, Teramoto Takashi, Christian Dussarrat, Kimura Takako.
タイトルEpitaxial grwoth of GaN on Si with buffers for future devioces
会議名INC12
発表年2016
言語English
外部での文献参照

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