HOME > Presentation > Detail(Intrinsic Effect of a Nitrogen Atom for Reduction in Leakage Current through Hf-based High-k Gate Dielectrics)梅澤 直人, 白石 賢二, 大野 隆央, 渡部 平司, 知京 豊裕, 鳥居和功, 山部 紀久夫, 山田 啓作, 北島洋, 有門経敏. ゲートスタック研究会. 2005.NIMS author(s)CHIKYO, ToyohiroFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 11:02:14 +0900Updated at: 2017-07-10 19:12:09 +0900