(Intrinsic Effect of a Nitrogen Atom for Reduction in Leakage Current through Hf-based High-k Gate Dielectrics)
ゲートスタック研究会. 2005年01月28日-2005年01月29日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:02:14 +0900 更新時刻: 2017-07-10 19:12:09 +0900