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著者名梅澤 直人, 白石 賢二, 大野 隆央, 渡部 平司, 知京 豊裕, 鳥居和功, 山部 紀久夫, 山田 啓作, 北島洋, 有門経敏.
タイトルIntrinsic Effect of a Nitrogen Atom for Reduction in Leakage Current through Hf-based High-k Gate Dielectrics
会議名ゲートスタック研究会
発表年2005
言語Japanese
外部での文献参照

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