導電性p+-ダイヤモンド基板を用いた縦型ショットキーフォトダイオード
(Vertical-type Schottky-Barrier Photodiode using p-Diamond Epilayer Grown on Heavily Boron-doped p+-Diamond Substrate)
2008年春季第55回応用物理学会学術講演会. 2008年03月27日-2008年03月30日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 03:49:02 +0900更新時刻: 2017-07-10 20:09:52 +0900