HOME > 口頭発表 > 書誌詳細抵抗変化メモリの導電性パス生成機構 ~Grain surface tiling modelの検証~ (Formation Mechanism of Conducting Path in Resistive Random Access Memory ~ Verification of a grain surface tiling model ~)肥田聡太, 森山拓洋, 山崎 隆浩, 大野 隆央, 吉武 道子, 岸田悟, 木下健太郎. 第64回応用物理学会春季学術講演会. 2017.NIMS著者吉武 道子Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-04-18 22:55:20 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:07:29 +0900