Raman-ion-gating reservoir realized with MoS2 electric double-layer transistor
2026 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2026). 2026年09月14日-2026年09月17日.
NIMS著者
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作成時刻: 2026-09-29 03:10:44 +0900 更新時刻: 2026-09-29 03:10:44 +0900