極低角度入射ビームオージェ深さ方向分析法で得られたHfO2薄膜/Si基板構造のオージェデプスプロファイルの解析
(Auger Depth Profiling Analysis of HfO2/Si Specimen Using an Ultra Low Angle Incidence Ion Beam)
第78回分析化学討論会. 2018年05月26日-2018年05月27日.
NIMS著者
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作成時刻: 2018-01-11 22:17:41 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:17:15 +0900