HOME > Presentation > Detail極低角度入射ビームオージェ深さ方向分析で得られたHfO2/Si試料のオージェデプスプロファイルの解析(Auger depth profiling analysis of HfO2/Si Substrate using an ultra low angle incidence beam)荻原 俊弥, 長田 貴弘, 吉川 英樹. 第50回表面分析研究会. February 26, 2018-February 27, 2018.NIMS author(s)OGIWARA, ToshiyaNAGATA, TakahiroYOSHIKAWA, HidekiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2018-01-16 22:05:21 +0900 Updated at: 2018-06-05 14:17:15 +0900