溶媒供給効果による抵抗変化メモリの動作機構解明
(Elucidating Resistive Switching Mechanism of Resistive Random Access Memory bu Utilising the Effect of Solvent Supply)
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-07-05 22:49:44 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:10:25 +0900