溶媒供給効果による抵抗変化メモリの動作機構解明
(Elucidating Resistive Switching Mechanism of Resistive Random Access Memory bu Utilising the Effect of Solvent Supply)
第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017年09月05日-2017年09月08日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-07-05 22:49:44 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:10:25 +0900