HOME > 口頭発表 > 書誌詳細硬X線光電子分光法を用いたInGaN系窒化物半導体の表面―バルク電子状態評価(Surface and bulk electronic structures of InGaN by HX-PES)井村 将隆, 小出 康夫, 荒木努, 名西やすし. 第10回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会. 2018年07月12日-2018年07月13日. 招待講演NIMS著者井村 将隆小出 康夫Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2018-07-15 16:49:16 +0900更新時刻: 2024-03-05 12:20:42 +0900