HOME > Presentation > Detail硬X線光電子分光法を用いたInGaN系窒化物半導体の表面―バルク電子状態評価(Surface and bulk electronic structures of InGaN by HX-PES)井村 将隆, 小出 康夫, 荒木努, 名西やすし. 第10回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会. July 12, 2018-July 13, 2018. InvitedNIMS author(s)IMURA, MasatakaKOIDE, YasuoFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2018-07-15 16:49:16 +0900Updated at: 2024-03-05 12:20:42 +0900