HOME > 口頭発表 > 書誌詳細MnSバッファー層を用いたSi基板上無極性面AlN成長の作製条件の検討(Study on the growth conditions of non-polar AlN on Si with MnS buffer layer)森田 雅也, 石橋啓次, 高橋健一郎, 知京 豊裕, 小椋厚志, 長田 貴弘. 第26回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ー材料・プロセス・デバイス特性の物理ー. 2021.NIMS著者知京 豊裕長田 貴弘Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2021-08-07 03:00:26 +0900更新時刻: 2021-08-07 03:00:26 +0900