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MnSバッファー層を用いたSi基板上無極性面AlN成長の作製条件の検討
(Study on the growth conditions of non-polar AlN on Si with MnS buffer layer)
第26回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 ー材料・プロセス・デバイス特性の物理ー. January 22, 2021-January 23, 2021.
NIMS author(s)
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Created at: 2021-08-07 03:00:26 +0900Updated at: 2021-08-07 03:00:26 +0900