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C面ドライ酸化4H-SiC MOSFETにおける界面炭素関連欠陥の面内分布解析
(An analysis of in-plane defect distribution of carbon-related defects in dry-oxide C-face 4H-SiC MOSFET)

鹿児山陽平, 岡本光央, 吉岡裕典, 原田信介, 山崎 隆浩, 大野 隆央, 梅田享英.
第64回応用物理学会春季学術講演会. 2017.

NIMS著者


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    作成時刻 :2017-04-18 22:55:20 +0900 更新時刻 :2018-06-05 14:07:29 +0900

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