HOME > 口頭発表 > 書誌詳細C面ドライ酸化4H-SiC MOSFETにおける界面炭素関連欠陥の面内分布解析(An analysis of in-plane defect distribution of carbon-related defects in dry-oxide C-face 4H-SiC MOSFET)鹿児山陽平, 岡本光央, 吉岡裕典, 原田信介, 山崎 隆浩, 大野 隆央, 梅田享英. 第64回応用物理学会春季学術講演会. 2017.NIMS著者大野 隆央Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-04-18 22:55:20 +0900 更新時刻 :2018-06-05 14:07:29 +0900