C面ドライ酸化4H-SiC MOSFETにおける界面炭素関連欠陥の面内分布解析
(An analysis of in-plane defect distribution of carbon-related defects in dry-oxide C-face 4H-SiC MOSFET)
NIMS著者
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作成時刻: 2017-04-18 22:55:20 +0900更新時刻: 2018-06-05 14:07:29 +0900