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著者名鹿児山陽平, 岡本光央, 吉岡裕典, 原田信介, 山崎 隆浩, 大野 隆央, 梅田享英.
タイトルC面ドライ酸化4H-SiC MOSFETにおける界面炭素関連欠陥の面内分布解析
(An analysis of in-plane defect distribution of carbon-related defects in dry-oxide C-face 4H-SiC MOSFET)
会議名第64回応用物理学会春季学術講演会
発表年2017
言語Japanese
外部での文献参照

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