HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Charge trap memory based on MoS2 with He+-irradiated h-BN as a trapping layerMahito Yamamoto, IWASAKI, Takuya, Keiji Ueno, TANIGUCHI, Takashi, WATANABE, Kenji, Tomohiko Iijima, Shinichi Ogawa, WAKAYAMA, Yutaka, Shu Nakaharai. 第85回応用物理学会秋季学術講演会. 2024年09月16日-2024年09月20日.NIMS著者岩崎 拓哉谷口 尚渡邊 賢司若山 裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2024-10-01 03:15:42 +0900更新時刻: 2024-10-01 03:15:42 +0900
