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ヘリウムイオン照射されたチャネルを有するデュアルゲートグラフェントランジスタの極性可変動作
(al-GElectrostatically-Reversible Polarity of Duated Graphene Transistors with He Ion Irradiated Channel)

中払 周, 飯島智彦, 小川真一, 塚越 一仁, 佐藤信太郎, 横山直樹.
Functionality-Enhanced Devices Workshop (FED. 2013. 招待講演

NIMS著者


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    作成時刻 :2017-01-08 05:42:07 +0900 更新時刻 :2024-03-05 11:44:43 +0900

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