HOME > 口頭発表 > 書誌詳細ヘリウムイオン照射されたチャネルを有するデュアルゲートグラフェントランジスタの極性可変動作(al-GElectrostatically-Reversible Polarity of Duated Graphene Transistors with He Ion Irradiated Channel)中払 周, 飯島智彦, 小川真一, 塚越 一仁, 佐藤信太郎, 横山直樹. Functionality-Enhanced Devices Workshop (FED. 2013-03-25. 招待講演NIMS著者塚越 一仁Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 05:42:07 +0900更新時刻: 2024-03-05 11:44:43 +0900