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ヘリウムイオン照射されたチャネルを有するデュアルゲートグラフェントランジスタの極性可変動作
(al-GElectrostatically-Reversible Polarity of Duated Graphene Transistors with He Ion Irradiated Channel)
Functionality-Enhanced Devices Workshop (FED. 2013-03-25. Invited
NIMS author(s)
Fulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)
Created at: 2017-01-08 05:42:07 +0900Updated at: 2024-03-05 11:44:43 +0900