多値論理演算素子の実現に向けたWS2 薄膜トランジスタの作製と評価
(Fabrication and Characterization of WS₂ Transistors for Multi-Valued Logic Devices)
第2回 応用物理学会 東洋大・東京電機大SC研究交流会. 2026-08-05.
NIMS著者
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作成時刻: 2026-08-25 03:06:44 +0900 更新時刻: 2026-08-25 03:06:44 +0900