混合伝導体であるヨウ化銅（CuI）薄膜を銅（Cu）電極と白金（Pt）電極で挟んだ2端子抵抗変化素子を作製しました。電極間の電圧掃印下で素子は最初オンオフのデジタル抵抗変化を示しますが、最終的に安定したアナログ抵抗変化動作に遷移します。このアナログ抵抗を示す素子（メモリスタ）は様々なシナプス可塑性を示し、シナプス増強/抑制挙動を用いて計算した画像認識精度は93%と高い値が得られました。これらの結果は混合伝導体を用いたアナログメモリスタがニューロモルフィック計算においる人工シナプスとして有望な可能性を秘めていることを示唆しています。

作成時刻: 2025-06-11 03:06:51 +0900 更新時刻: 2026-09-28 05:54:12 +0900