傾斜Si(001)表面のステップ酸化に関する第一原理研究

Byung Deok Yu; Kyoungwan Park; Hanchul Kim; Chun-Hyung Chung; Han Woong Yeom; In-Whan Lyo; Ki-jeong Kong; Yoshiyuki Miyamoto; Osamu Sugino; Takahisa Ohno; Byung Deok Yu; Kyoungwan Park; Hanchul Kim; Chun-Hyung Chung; Han Woong Yeom; In-Whan Lyo; Ki-jeong Kong; Yoshiyuki Miyamoto; Osamu Sugino; Takahisa Ohno

doi:10.1143/jjap.45.2144

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First-Principles Study of the Step Oxidation at Vicinal Si(001) Surfaces
(傾斜Si(001)表面のステップ酸化に関する第一原理研究 )

Byung Deok Yu, Kyoungwan Park, Hanchul Kim, Chun-Hyung Chung, Han Woong Yeom, In-Whan Lyo, Ki-jeong Kong, Yoshiyuki Miyamoto, Osamu Sugino, Takahisa Ohno.

Japanese Journal of Applied Physics 45 [3B] 2144-2147. 2006.

https://doi.org/10.1143/jjap.45.2144

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Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2016-05-24 15:07:08 +0900 更新時刻: 2026-10-30 04:27:29 +0900

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(傾斜Si(001)表面のステップ酸化に関する第一原理研究 )