HOME > 論文 > 書誌詳細SiC film formation from fluorosilane gas by plasma CVD(プラズマCVD法によるフッ化シランからのSiC膜作製)Hiroshi Suzuki, Hiroshi Araki, Masahiro Tosa, Tetsuji Noda. Journal of Crystal Growth 294 [2] 464-468. 2006.https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.07.003 NIMS著者Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2016-05-24 15:02:01 +0900 更新時刻: 2026-08-30 04:41:44 +0900