Molecular modeling of low-k films of carbon-doped silicon oxides for theoretical investigations of the mechanical and dielectric properties | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Molecular modeling of low-k films of carbon-doped silicon oxides for theoretical investigations of the mechanical and dielectric properties
(誘電特性および機械強度特性の理論的解析のための炭素ドープ酸化シリコン膜の分子モデリング)

N. Tajima, T. Ohno, T. Hamada, K. Yoneda, N. Kobayashi, S. Hasaka, M. Inoue.

Applied Physics Letters 89 [6] 061907. 2006.

https://doi.org/10.1063/1.2336273

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作成時刻: 2016-05-24 15:05:24 +0900更新時刻: 2024-04-01 20:59:55 +0900

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