Gate-Defined Accumulation-Mode Quantum Dots in Monolayer and Bilayer <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline" overflow="scroll"><mml:msub><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">W</mml:mi><mml:mi>Se</mml:mi></mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:msub></mml:math> | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

HOME > 論文 > 書誌詳細

Gate-Defined Accumulation-Mode Quantum Dots in Monolayer and Bilayer WSe2
(Gate-defined, Accumulation-mode Quantum Dots in Monolayer and Bilayer WSe2)

S. Davari, J. Stacy, A.M. Mercado, J.D. Tull, R. Basnet, K. Pandey, K. Watanabe, T. Taniguchi, J. Hu, H.O.H. Churchill.

Physical Review Applied 13 [5] 054058. 2020.

https://doi.org/10.1103/physrevapplied.13.054058

NIMS著者

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2021-07-15 03:00:23 +0900 更新時刻: 2026-10-30 07:23:30 +0900

▲ページトップへ移動