Growth mechanism of c-axis-oriented AlN on (1 1 1) diamond substrates by metal-organic vapor phase epitaxy
(MOVPE法により(001)、(111)面ダイヤモンド基板上に成長させた窒化アルミニウムの成長モード評価と微細構造観察)
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2022-10-21 23:02:04 +0900更新時刻: 2022-10-21 23:02:04 +0900